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    描述   DRV870xD-Q1 器件是一款半桥栅极驱动器,它使用两个外部 N 沟道 MOSFET,旨在驱动单向刷式直流电机或电磁阀负载。   通过 PWM 接口,可轻松连接到控制器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。集成的电荷泵可提供 100% 占空比支持,而且可用于驱动外部反向电池开关。独立半桥模式支持半桥共享,能够以具有成本效益的方式顺序控制多个直流电机。这款栅极驱动器内置有相应的电路,能够使用关断时间固定的 PWM 电流斩波来调节绕组电流。   DRV870xD-Q1 器件采用了智能栅极驱动技术,因此无需任何外部栅极组件(电阻器和齐纳二极管),同时可为外部 FET 提供全面保护。智能栅极驱动架构可优化死区时间以避免出现任何击穿问题,在通过可编程压摆率控制技术降低电磁干扰 (EMI) 方面带来了灵活性,而且可防止任何栅极短路问题。此外,该架构中还包括主动和被动下拉特性,可防止任何 dv/dt 栅极导通。   低功耗睡眠模式可将内部电路关断,从而实现极低的   静态电流消耗。该器件采用了 5mm × 5mm 的小型封装且外部组件极少,因此可用于非常小巧的设计中。   特性   符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准   器件温度等级 1:环境工作温度范围为 –40°C 至 +125°C   单通道 半桥栅极驱动器   驱动两个外部 N 沟道 MOSFET   支持 100% 脉宽调制 (PWM) 占空比   工作电源电压范围:5.5V 至 45V   PWM 控制接口   用于配置的串行接口 (DRV8703D-Q1)   智能栅极驱动架构   可调压摆率控制   10mA 至 260mA 峰值高侧拉电流   20mA 至 440mA 峰值高侧灌电流   10mA 至 225mA 峰值低侧拉电流   20mA 至 430mA 峰值低侧灌电流   支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入   电流分流放大器   集成 PWM 电流调节功能   低功耗休眠模式   小型封装尺寸   32 引脚 VQFN 封装   5mm × 5mm   可湿侧面封装   保护 特性   电源欠压锁定 (UVLO)   电荷泵欠压 (CPUV) 锁定   过流保护 (OCP)   栅极驱动器故障 (GDF)   热关断 (TSD)   监视器计时器 (DRV8703D-Q1)   故障调节输出 (nFAULT)   相关品牌介绍:https://www.iczoom.com/brand/509-c-1-20.html   |